CMOS-CMH50N50:舞台灯光电源的绝佳优选

分享到:

CMH50N50:舞台灯光电源的绝佳优选

>>CMH50N50详情页面

CMH50N50采用先进的高压平面MOSFET工艺制造,能在AC-DC应用中提供高水平的性能和鲁棒性,抗冲击能力强,易过EMC等测试。可以快速应用到新的和现有的离线电源设计中,特别适用于舞台灯光电源等电路。凭借其良好的电气特性和高可靠性,CMOS的CMH50N50 MOS管,正是此类应用的绝佳优选,被市场所广泛采用。



良好的电气特性                                    

CMH50N50的主要电气特性包括:

耐压与电流能力:CMH50N50的耐压(BVDSS)为500V,在25℃条件下,其最大连续漏极电流(ID)为50A。这使得CMH50N50在高功率大电流应用中表现出色。



抗冲击能力强:CMH50N50采用先进的高压MOS工艺制造,单次雪崩能量为1800mJ,使其有很强的抗冲击能力,能承受高能量脉冲,提升了其耐用性和可靠性。

易过EMC测试:CMH50N50采用平面工艺制造,客户反馈不用整改就能通过EMC测试。

极低热阻:CMH50N50采用TO-247封装,其结到壳的热阻(RθJC)低至0.2℃/W,具有良好的热管理性能。使其在大功率工作时,能够有效地将热量散发出去,防止过热,提高了系统的稳定性和可靠性。 

低导通电阻:在栅极电压(VGS)为10V时,CMH50N50的导通电阻(RDS(on))低至0.1Ω。低导通电阻不仅降低了器件在导通状态下的功耗,还提高了整体电路的能效。   

高功率:CMH50N50的最大耗散功率为625W,具备高功率、高可靠性。



适用范围广泛                                    

CMH50N50 MOS管由于其优异的特性,适用于多种应用场景,特别是在舞台灯光电源电路中:

舞台灯光电源电路:MOS管的高EAS、低热阻、低导通电阻直接影响抗冲击能力、可靠性、能效,CMH50N50表现出色,能够很好地满足电路需求。


MOS管在电力电子中起到重要作用,其性能直接影响整个电路的效率和稳定性。MOS管的导通电阻RDS(on)和热阻(RθJC)是决定其导通性能和耐用性的关键因素。低导通电阻可以减少导通损耗,提高效率,而低热阻可以确保在高功率条件下快速散热,使器件不会过热,从而延长其使用寿命。


CMH50N50 MOS管采用的TO-247封装提供了良好的散热途径,这在高功率应用中特别重要。其耐压和电流能力使其能够在各种高应力环境下稳定工作。通过优化半导体材料和制造工艺,CMOS成功地将这些特性集成到CMH50N50中,使其在舞台灯光电源电路应用中表现特别出色。


XML 地图