CMP130N85A是采用Cmos成熟的栅极多层分割槽工艺制造的一款金属氧化物功率半导体分离器件。
CMD8447B MOSFET是澳门太阳游戏城网站（Cmos）推出的一款泛应用类功率MOSFET,卓越的电器特性使其在电源开关类，驱动控制类电子电路中得到广泛应用。
IRF4905S采用先进的沟槽技术和设计，提供优秀的RDS（ON）与低门电荷。这些优点，使它成为非常高效和可靠的MOS，可用于逆变器、电机驱动、直流转化等电路。因其良好的散热能力，非常适合用于汽车电子。
