CMH90N20：逆变器的优选MOS
CMH90N20采用先进的平面DMOS技术和设计，提供优秀的RDS（ON），抗冲击能力强，广泛应用于逆变器和SMPS、UPS等电路中。凭借其卓越的电气特性和高可靠性，是市场非常认可、成为逆变器的优选MOS元件。
卓越的电气特性
CMH90N20的主要电气特性包括：
耐压与电流能力：CMH90N20的耐压（BVDSS）为200V，在25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）可达100A。这使得CMH90N20在高功率大电流应用中表现出色，特别适用于逆变器和SMPS、UPS电路。
抗冲击能力强：CMH90N20采用先进的平面DMOS技术，单次雪崩能量为3240mJ，使其有很强的抗冲击能力，能承受高能量脉冲，提升了其耐用性和可靠性。
低热阻：CMH90N20采用TO-247A-LL封装，具有优秀的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）低至0.38℃/W。这意味着在大功率工作时，器件能够有效地将热量散发出去，防止过热，提高了系统的稳定性和可靠性。
低导通电阻：在栅极电压（VGS）为10V时，CMH90N20的导通电阻（RDS(on)）不超过25mΩ。低导通电阻降低了导通状态下的损耗，还提高了整体电路的能效，使得在逆变器等电路使用中效率更高。
适用范围广泛
CMH90N20 MOS管由于其优异的特性，适用于多种应用场景，特别是在逆变器和SMPS、UPS电路中。
逆变器电路：在逆变器应用中，MOS管的高EAS、低热阻、低导通电阻直接影响抗冲击能力、可靠性、能效，CMH90N20表现出色，能够很好地满足电路需求。
SMPS、UPS电路：CMH90N20的大电流、高EAS、低热阻、低导通电阻确保电路高效、稳定、可靠的性能。
MOS管在电力电子中起到重要作用，其性能直接影响整个电路的效率和稳定性。MOS管的导通电阻（RDS(on)）和热阻（RθJC）是决定其导通性能和耐用性的关键因素。低导通电阻可以减少导通损耗，提高效率，而低热阻可以确保在高功率条件下快速散热，使器件不会过热，从而延长其使用寿命。
CMH90N20 MOS管采用的TO-247A-LL封装提供了良好的散热途径，这在高功率应用中特别重要。其耐压和电流能力使其能够在各种高应力环境下稳定工作。通过优化半导体材料和制造工艺，CMOS成功地将这些特性集成到CMH90N20中，使其在逆变器和SMPS、UPS电路应用中具备出色的表现。
