CMD603 MOSFET：桥型电路应用的理想选择
MOSFET 作为现代电力电子电路中最重要的核心半导体器件之一，每一种相关电路的拓扑都含有一个或者多个 MOSFET 器件。MOSFET 器件的设计与性能影响着电路网络整体的性能、效率、稳定性与可靠性。MOSFET 开关性器件对于控制网络的电磁相容（EMC）也起着至关重要的作用。尤其像开关电源中 MOSFET 经常工作在高频状态(一般开关电源的工作频率为 40KHZ~100KHZ)，因此 MOSFET 对于电磁相容中的辐射 EMI 往往产生重要的影响。
CMD603 MOSFET 是澳门太阳游戏城网站推出一款 N+P 集成的双芯 CMOS 产品，客户应用在桥型电路网络中，表现出优秀的散热性和卓越抗干扰能力。
封装形式
CMD603 MOSFET 采用 N MOS 管+P MOS 管双芯集成 TO-252-4L 封装形式。
封装形式及内部拓扑结构如下：
三相全桥控制驱动马达控制网络
若适当增大器件的开通时间，即可在很大程度上减小振荡幅值，一般技术方案会考虑在驱动芯片与 MOSFET 栅极间加设缓冲电路，即人为串接驱动电阻，在 MOSFET 栅源极间并联电容以延长栅极电容的充电时间，降低电压变化率。Cmos 公司另辟蹊径，从轻量化电路着手，经过专业团队验证，研发给出自己特有的解决方案，长期坚持推出多款双芯 MOSFET，实践证明，这种方案，不仅在理论上可行，而且在实际应用网络中能起到优化外围臃肿的驱动电路网络作用。
双芯独特的电气特性
极低的开启电压：CMD603 MOSFET，N 管和 P 管的开启电动势 VGS（th）都不超过 2.5V，这将会使得驱动电路变得简便。VGS（th）越高，MOS 管米勒平台就越高，开启越慢。直接反应在 MOSFET 的开启电压上，MOSFET 实际工作时驱动电压必须大于平台电压，如果栅极驱动电压长期工作在平台附近，会导致器件不能完全打开，内阻急剧上升，从而器件产生相应的热失效现象，这一条建议希望广大用户在使用时要特别注意。
理想的栅极电荷总量 Qg：Qg 是 MOS 栅极开启时所必要的电荷量，影响着 MOS 的切换速度以及与时间相关联的参数。CMD603 CMOSFET Qg=16nC，控制在相对低的水平，意味着 CMD603 CMOSFET 开关速度更快，相应的开关损耗更小，MOS 效率越高，温升越低。CMD603 CMOSFET，在 VGS=10V 条件下，N 管的栅极电荷量 Qg=8NC，P 管的栅极电荷量为16 NC，N 管和 P 管电荷量的这种倍数级别差异，使得在桥式电路应用中表现出卓越性能。
较低的电容参数：
MOSFET 的开启和关断时间主要受自身电容影响。所以，在特定的电路中合理的电容参数对器件的稳定性非常关键。
CMD603 CMOSFET 输入电容 Ciss=1550Pf，当输入电容充电至阈值电压时器件才能开启，放电至一定值时器件才可以关断。因此驱动电路和 Ciss 对 MOS 器件的开启和关断延时有着直接的影响。输出电容 Coss=68Pf，Coss 对于软开关的应用非常重要，因为它可能引起电路的谐振。而 MOS 管软开关主要应用于马达驱动电路和充电器电路等。
反向传输电容 Crss=49pF，反向传输电容等同于栅漏电容，即 Crss=Cgd，反向传输电容也常叫做米勒电容，对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数，它还影响着关断延时时间。电容随着漏源电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容。
CMD603 CMOSFET Ciss、Coss、Crss 三项电容参数都控制在理想的较低值，使该料在桥型电路中表现出卓越的特性。
不同的 MOSFET 产品，根据其制造的工艺的差异性，参数表现会有所不同，在具体的应用环境中表现出的性能也不一样。CMD603 CMOSFET 在桥型控制电路中表现效果理想，值得推荐。当然 CMD603 适用环境不仅限于此，客户用在 LED 灯控，汽车电子，驱动板中表现出优良的性能。关于 CMD603 其它参数，请注册和登录澳门太阳游戏城网站官网 WWW.CMOSFET.COM 自行下载。
