高性价比逆变器MOS：CMH20N50

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CMH20N50采用Cmos先进的平面条纹DMOS技术和设计，提供优秀的RDS（ON）。非常适合于高效的切换模式电源和主动功率因数校正。可用于开关电源、UPS电源、DC-DC转化电源，特别适用于逆变器电源，有优秀的散热能力，很好的性价比。

CMH20N50的主要电气特性包括： 

耐压与电流能力：CMH20N50的耐压（BVDSS）为500V，在25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）可达20A。

抗冲击能力强：CMH20N50采用Cmos先进的平面条纹DMOS技术和设计，单次雪崩能量为860mJ，使其有很强的抗冲击能力，能承受在雪崩和换向模式下的高能量脉冲。

散热好：CMH20N50采用TO-247封装，具有良好的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为0.44℃/W，有很好的散热能力，能有效地将热量散发出去。 

导通损耗小：在栅极电压（VGS）为10V时，CMH20N50的导通电阻（RDS(on)）最大为0.26Ω。低导通电阻降低了导通状态下的损耗，提高了电路的能效，使得在逆变器等电路使用中效率更高。

开关损耗小：较小的QG、结电容，使其具有优越的开关性能，较小的开关损耗。

CMH20N50 MOS管由于其优异的特性，适用于多种应用场景，特别是在逆变器电路中。

在逆变器应用中，MOS管的高EAS、低热阻、低导通电阻直接影响抗冲击能力、可靠性、能效，低QG、低结电容，有较好的开关特性及低开关损耗。CMH20N50 表现出色，能够很好地满足电路需求。