CMD5951：防盗器优秀MOS

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CMD5951采用Cmos先进的沟槽技术和设计，提供优秀的RDS（ON）与低门电荷，具有低导通损耗和低开关损耗，它可以高效用于多种应用电路中，包括不限于DC-DC直流变换器、逆变器、电机驱动等。凭借其卓越的电气特性和高可靠性，是市场非常认可、优秀的防盗器MOS元件。

CMD5951的主要电气特性包括： 

耐压与电流能力：CMD5951的耐压（BVDSS）为-100V，在25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）可达-30A。

可靠性好：CMD5951采用Cmos先进的沟槽技术和设计，单次雪崩能量为270mJ，使其有较强的抗冲击能力，提升了其耐用性和可靠性。

低热阻：CMD5951采用TO-252封装，具有优秀的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）低至1.25℃/W。有很好的散热能力，工作时能够有效地将热量散发出去，防止过热，提高了系统的稳定性和可靠性。 

低导通电阻：在栅极电压（VGS）为10V时，CMD5951的导通电阻（RDS(on)）不超过65mΩ。低导通电阻降低了导通状态下的损耗，还提高了整体电路的能效。

低Qg：较低的Qg，使管子更容易驱动，开关损耗低，提高了电路效率。

CMD5951 MOS管由于其优异的特性，适用于多种应用场景，特别是防盗器电路中，MOS管的高EAS、低热阻、低导通电阻直接影响抗冲击能力、可靠性、能效，CMD5951表现出色，能够很好地满足电路需求。

CMD5951 MOS管采用的TO-252封装，提供了良好的散热途径，其耐压和电流能力使其能够在各种高应力环境下稳定工作。通过优化半导体材料和制造工艺，CMOS成功地将这些特性集成到CMD5951中，使其在防盗器等电路应用中表现出色。