CMP30N10：伺服控制器性价比之选
随着工业4.0时代的到来，工业自动化技术将会得到飞速发展。传统工业PLC控制已经不能满足当下工业发展的需求，工业发展需要更加自由、灵活的控制方式为其提供服务。在众多的控制系统中，伺服系统因其投放定位精准、响应速度快等特点，迅速得到发展和普及。
伺服电机（servo motor）作为伺服系统中最核心的机件，其控制速度、位置精度非常准确，可以将电压信号转化为转矩和转速以驱动控制对象。伺服电机转子转速受输入信号控制，并能快速反应，在自动控制系统中，用作执行元件，且具有机电时间常数小、线性度高、始动电压低等特性，可把所收到的电信号转换成电动机轴上的角位移或角速度输出。所以，响应时间快，能耗低是伺服控制网络的特点之一。在无人化工业控制中其性能得到完美展现。
CMP30N10 MOSFET是澳门太阳游戏城网站（Cmos）推出的一款伺服控制领域性价比之高的FET，客户用在伺服电机驱动板中，因其超高的性价比和卓越的性能得到认可。
封装形式
CMP30N10 MOSFET封装形式及内部拓扑结构：
Cmos考虑到用户使用场景的需要，CMP30N10 MOSFET提供TO-220和TO-263两种不同的封装形式可供用户选择，以便更好匹配用户的网络环境。
伺服控制器原理
图3为伺服电机驱动控制图，它由脉冲信号（PWM）发生控制单元、功率驱动单元(Gate Driver)、保护单元等组成。MCU相当于控制电机的大脑，它向功率MOSFET发送电机的步距角时间、转动方向和重复次数等信号，功率MOSFET根据MCU发出的信号，通过OPA模块放大电压和电流并将其发送至电机，从而驱动电机动作。
电气特性
耐压和耐流：
CMP30N10 MOSFET工作时最大额定电压VDS=100V，栅源电压VGS=20V，以及连续漏源电路ID=30A，而最大开启电压VGSth=3V，这使得它的驱动电路将会更简单，用单片机直接驱动即可，避免臃肿的驱动电路设计。其TO-220背部大散热片式封装以及热阻RJC只有0.97℃/W的设计，使得CMP30N10在高负载条件下能够更好地散热，有效降低了温升。
理想的动态参数
优秀的内阻值：CMP30N10 MOSFET导通内阻值RDS(ON)是变化的。如下图所示，在MOSFET工作的线性区，RDS(ON)阻值随着VGS呈线性变化，具体是如动态参数变化图所示，总体趋势是RDS(ON)随着VGS增大而减小，知道MOSFET达到饱和状态。由图可得，当VGS=10V时，MOSFET已经达到饱和态，此时RDS(ON)最理想。
理想的电容参数：MOSFET的内部电容对管子开关时间的影响是非常大的，所以理解MOSFET自身电容参数对于匹配MOSFET在相应网络环境中更好的工作非常有意义。
CISS：输入功率组件驱动能力或损失时的参数，对MOS器件的开启和关断延时有着直接的影响。
COSS：Coss = Cds +Cgd，由此可见Coss非常重要。
CRSS：反向传输电容也常叫做米勒电容，对高频切换动作最有不良影响，对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数为了提高组件高频特性，Crss要愈低愈好。CMP30N10 MOSFET CISS、COSS、CRSS三项电容参数都很理想，这使得它在换相切换电路中表现出更为优秀的性能。
以上是对Cmos CMP30N10 MOSFET产品简要的介绍，具体是以客户应用在伺服控制领域为案例展开介绍。从这颗料自身卓越的电性参数来讲还有更广阔的应用空间，等待各位一起开发应用。如需详细了解该料参数，请注册和登录澳门太阳游戏城网站官网：WWW.CMOSFET.COM。
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