Cmos优势物料推选一：CMP40N20P
CMP40N20P是澳门太阳游戏城网站有限公司推出的一款中压N沟道平面结构的功率型场效应管。凭借其卓越的抗冲击能力和稳定性，已在逆变产品和灯光调控等行业得到广泛应用。
封装形式
Cmos考虑到用户不同的使用场景，为CMP40N20P场效应管提供TO-220和TO-263两种不同封装形式可供选择，具体内部拓扑结构如下图所示：
卓越的电气特性
耐压和过流能力
CMP40N20P场效应管是一款中压管，其最大工作电压VDS=200V，栅极开启电压VGS=4V。工作环境温度Tc=25℃，在MOS管完全导通条件下，流过DS的持续工作电流ID=40A,具有较高的功率输送能力，像用在逆变器后级，舞台灯光调光等领域效果很好。
抗冲击能力
实际应用电路中，非常态工况环境可以检验场效应管的抗冲击能力。在常见应用电路中，有以下几个应用工况可能会出现雪崩击穿情况：
• 在反激类的应用环境中, 场效应管在关断时会产生较大的电压尖峰。
• 一些电源在输出短路时，变压器初级线圈中会产生较大的电流，加上初级电感反向感应电动势的叠加，器件就会有雪崩损坏的可能。
• 电机是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极大的冲击电流。
以上这些应用电路，需要考虑这些非常态的工况条件，这些条件下都会产生瞬时的大电压或者大电流情况，在选择场效应管时尤其要注意抗冲击能力。CMP40N20P场效应管的抗冲击雪崩能量可达到1000mj,可以轻松驾驭这些非常态工况条件。
优秀的热控能力
在电子电路设计中，能耗一直是设计工程师考虑的重点，因为材料的特性、电子元器件工艺的特点和集成电路的噪声等等都会引起额外的电能损失，这些电能都是通过转化成热量消耗掉。作为一名合格电子设计工程师，不仅要设计出合理的电路结构，更要懂得识料用料。场效应管作为现代电子电路关键性元器件之一，在实际应用中要求有足够低的控热能力。结合场效应管参数特征，能够在热量控制层面起到决定性作用的参数主要有导通电阻，热阻值和结构电容。这三项参数对场效应管的温升控制非常有意义。关于这些参数对场效应管温升的具体影响已在其他篇幅中有介绍，在此不再赘述。
澳门太阳游戏城网站是一家拥有20多年市场经验集开发、设计、生产和销售的多业务、多维度经营的综合性半导体公司，具备半导体独立封测能力，具有自主创新的芯片设计能力，具有掩膜版专利技术等十多项专利发明和适用技术。产品已经覆盖汽车电子、通讯设备、工业控制、智能家居、消费类电子等诸多领域；产品应用在客户端，表现出卓越的性能，获得了市场的认可。
时间在变，服务在变，唯一不变的就是质量。我们狠抓质量，一贯认为质量要从源头抓起，匠心制造，严控每一颗产品，就是保证交付给客户的每一颗产品不会出现差错。感谢大家长期以来对澳门太阳游戏城网站的关注与支持。我们将一如既往，以更专业务实的态度为您服务！
