Cmos优势物料推选五：CMSA035N06L
随着电力电子功率器件向高功率密度方向的发展,DFN（Direct-Flux-on-Lead）封装以其高效率，高集成性，低成本同时又方便检测等诸多优点，在半导体封装行业得到大力发展。场效应半导体经过二十多年的沉淀和发展，不断总结市场需求和市场发展规律，持续投入DFN大功率封装线，通过不断优化制程工艺和生产设备开发出多规格DFN封装的半导体器件，以其超高的性价比迅速在市场上被广泛应用。
与先前发布的CMSA030N04一样，CMSA035N06L是一款60V SGT(Split Gate Trench)工艺 N沟槽场效应管，其漏源导通电阻RDS(ON)最大仅有3.3MΩ，其中关键性能指标／品质因数（FOM）的优化降低使其自身能量传送效率大幅提高。这些优点，正是诸如车载设备，电池保护，电源管理，智能AI等邻域的理想选择。
封装形式
CMSA035N06L MOSFET是DFN-8 5×6封装形式，内部拓扑结构如下图所示。
卓越的电性参数
优秀的能量输送能力
CMSA035N06L是一款持续漏极电流（ID）为120A，脉冲电流（IDM）高达480A的60V低压场效应半导体器件，在实际的电子电路应用中具有较高的功率输送能力。场效应功率器件在工作时其自身也会消耗一定的电能, 把单位时间内功率器件所消耗的电能称作为器件的功率损耗。在通态下最大漏源电阻仅有3.3MΩ，自身能量损耗非常低。无论从传递能量还是传输效率，CMSA035N06L应用在实际电路中都将是一款综合效率非常高的器件。
器件热平衡
随着高密度性功率器件的发展，元器件单位体积内的热量也相应增加。在大功率高频率电源等设备中功率开关器件的电能损耗尤其突出, 这部分消耗功率会转变为热量使功率器件管芯发热、结温升高, 如果不能及时、有效地将此热量释放, 就会影响到器件的工作性能, 从而降低系统工作的可靠性, 甚至损坏器件。
器件的功率消耗将导致其结温升高从而产生了散热冷却的要求，而散热器在单位时间内所散发出的热能量叫耗散功率。在设备正常稳定工作时, 器件的功率损耗和散热器的耗散功率将达到平衡, 器件的温度也不会继续升高, 即系统达到了热平衡状态。在此情形下，作为一名半导体器件从业者，推荐和选择合适的元器件将对电路的稳定性和安全性产生重要意义。
抗冲击能力
CMSA035N06L具有840mJ的单脉冲雪崩抗冲击能力。
驱动兼容性
场效应半导体是一款电压控制型元器件，即通过给栅极施加电压形成感应电场产生导电沟道工作。给栅极施加的电压是其工作或者表现不同电性特征的制约因素。在实际电子电路中，为了给栅极施加稳定安全的电压，根据电路特性需专门设计驱动电路，是要量体裁衣。驱动电压过大，外设驱动回路就会变得相对复杂，进而使实际的PCBA体积更为厚重，电路中EMC也会更差，电路产生局部振铃效应严重，导致FET,JET等功率器件误动作，从而给电路带来不稳定因素，轻则使功率管击穿，严重时可能会发生安全事故。
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