Cmos优势物料推选六：CMD840
CMD840 MOS是一款采用平面工艺设计的高压小电流FET，作为电子工程师我们都知道，平面工艺FET很多电性特征参数都与内部晶片大小息息相关。在产品制造过程中，FET大多表现出特征参数相悖的特点，比如，在实际物料生产中，为降低导通内阻，就需要相应增大实际的晶片面积，为降低Ron须增大硅片面积使成本增加, 工艺寄生电容随之也会增大，结合实际应用环境，如果对寄生电容不进行优化和控制，那么这种参数MOS管其应用环境将会受限制。在这一点上，Cmos经过在工艺上不断创新，打破了理论限制，创造性的推出CMD840 FET，有效的拓宽了平面工艺物料的应用环境。
封装形式
CMD840 MOSFET提供TO-252贴片和TO-251插件两种封装新式，其外观和内部拓扑结构如下图所示：
电性参数
耐压和耐流能力
CMD840是一款高压小电流的场效应管，其击穿电压BVDSS可达500V，漏源持续电流ID为8A。从伏安特征值、导通内阻及结合实际电路的特性来看，该物料不具备过大电流的能力。
优秀的开关速度
CMD840 MOSFET CISS为1400PF，COSS为210PF，得益于对更低的寄生电容的控制，使得CMD840成为电源应用，无刷电机组合应用方案的理想之选。
CMD840是一款平面工艺场效应管，具有更高的抗冲击性能和更好的电参数一致性。参数的一致性尤其在半桥，全桥，推挽等MOSFET组合结构中尤为重要。通过对以往电路故障分析发现，在半桥应用中，上管和下管的死区控制时间是重要的参数之一，所以调整死区时间时尽量减少外部其他非必要因素的影响，否则参与的变量越多对死区时间的影响就越广，结果就是合理的死区时间调整就越困难。所以，为了减小非必要因素引起的关键性参数退变，不能仅停留在具体参数的匹配性上，还要对物料工艺有所考虑，唯有如此，方能节约元器件上电测试时间，使新品尽快得到试产。
以下是小编整理的MOSFET不同工艺的结构分析：
Cmos半导体产品
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Cmos产品应用领域
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