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CMF65R105：开关电源的优选
CMF65R105使用Cmos先进的超级结技术，可以实现非常低的电阻和门电荷。采用优化的电荷耦合技术可以提供高的效率。非常适合于开关电源应用，如PFC、适配器、服务器/电信电力、FPD电视电源、ATX电源和工业电源等应用。
卓越的电气特性
CMF65R105的主要电气特性包括：
耐压与电流能力：CMF65R105的耐压（BVDSS）为650V，在25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）可达31A。
高EAS：CMF65R105采用Cmos先进的超级结技术，EAS达到1353mJ，具有很强的抗冲击能力。
低导通损耗：在栅极电压（VGS）为10V时，CMF65R105的导通电阻（RDS(on)）最大为0.1Ω。低导通电阻降低了导通状态下的损耗，提高了电路的能效，使得在各种开关电源电路使用中效率更高。
低开关损耗：较小的QG、CISS，使其具有优越的开关性能，较小的开关损耗。
适用范围广泛
CMF65R105 MOS管由于其优异的特性，适用于多种应用场景，在各种开关电源电路中，MOS管的低导通电阻、低QG、低结电容，使其有较好的开关特性及低开关损耗、低导通损耗，并直接影响工作时的温升、可靠性、能效，CMF65R105表现出色，能够很好地满足电路需求。
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