优秀超结MOS：CMH65R115P
超结MOS以高耐压、低内阻、低CISS、低QG，具有开关速度快、工作频率高、开关损耗小、导通损耗小、转化效率高、热稳定性好、易驱动等特性，广泛用于电源等电路中。
CMH65R115P功率MOSFET，使用Cmos先进的超结技术，实现非常低的电阻和门电荷。采用优化的电荷耦合技术，可以提供高效率。具有超结MOS的各种优点，可以很容易快速地应用到新的和现有的电源设计中。
卓越的电气特性
CMH65R115P的主要电气特性包括：
耐压与电流能力：CMH65R115P的耐压（BVDSS）为650V，在25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）可达33A。
低EMI：CMH65R115P采用Cmos先进的超结技术，应用时具有低EMI、易通过EMC测试的特点。
温升低：CMH65R115P采用TO-247封装，具有良好的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为0.49℃/W，有很好的散热能力。
导通损耗小：在栅极电压（VGS）为10V时，CMH65R115P的导通电阻（RDS(on)）为0.115Ω。低导通电阻降低了导通状态下的损耗，提高了电路的能效，使得在电源等电路使用中效率更高。
开关损耗小：较小的QG、CISS，使其具有优越的开关性能，较小的开关损耗。
适用范围广泛
CMH65R115P MOS管由于其优异的特性，适用于多种应用场景，在各种电源电路中表现优秀。MOS管的低热阻、低导通电阻直接影响工作时的温升、可靠性、能效，低QG、低结电容，有较好的开关特性及低开关损耗。CMH65R115P表现出色，能够很好地满足电路需求。
MOS管在电力电子中起到重要作用，其性能直接影响整个电路的效率和稳定性。MOS管的导通电阻（RDS(on)）和热阻（RθJC）是决定其导通性能和散热能力的关键因素。低导通电阻可以减少导通损耗，提高效率，而低热阻可以确保在高功率条件下快速散热，使器件不会过热，从而延长其使用寿命。
CMH65R115P MOS管采用的TO-247封装，通过优化半导体材料和制造工艺，CMOS成功地将这些优秀特性集成到CMH65R115P中，使其在电源电路应用中表现出色。
