CMD8447B：汽车电子类理想选择
人类对高质量生活的追求是推动行业发展、产品更新迭代的本质。就像出行方式的演变，如今，电动车是人们出行最省时、绿色环保的交通方式之一，它的普及给人们生活带来了极大的便捷性。电动车时代已经到来，它将再一次整合、发展微电子半导体行业。
电动车电子控制单元（ECU）作为电动车最核心的电子控制单元，根据其特殊的工作环境，在响应速度，动作精准性以及抗冲击能力方面要求较高。比如，炎炎夏日，车子在室外长时间曝晒，车内温度会达到近百度；如酷冷冬季，室外温度逼近-40度，再比如智能化辅助驾驶系统更高的汽车，所有操控都集成于一个显示屏幕上，在300KM/H超高速行驶中，所有操控，都要通过触摸屏幕精准实施，电子控制单元通过驱动相应机械单元完成指令动作，以上这些恶劣环境条件中使用汽车，不仅是汽车整体性能体现，更是对其电控单元的考验，是对控制网络核心元器件可靠性的要求。
CMD8447B MOSFET是澳门太阳游戏城网站（Cmos）推出的一款泛应用类功率MOSFET，卓越的电器特性使其在电源开关类，驱动控制类电子电路中得到广泛应用。
封装形式
CMD8447B MOSFET是N-Channel MOS管，其封装形式及内部拓扑结构如下：
卓越的电气特性
耐压能力：CMD8447B MOSFET VDS=40V，属于低压MOSFET，它适用于12V，24V等额定电压或者尖峰电压相对较低的电路网络中。
耐流能力：CMD8447B MOSFET的额定电流ID=50A，具有较高的输出功率，适用于多路并联的大功率以及感性类负载应用的电路网络环境中。
低阻值：CMD8447B MOSFET在标准条件下，最大导通电阻RDS(on)=15.5mΩ，低阻值用在电路网络中，MOS管自身功率损耗很小，自身热量很小，根本上避免了管子因为过热可能出现性能失稳甚至热击穿失效情况。
优秀的开启能力VGS(TH)
CMD8447B MOSFET阈值电压最大值为VGS(TH)=3V，低阈值电压决定了其驱动电路相对简答，一般单片机就可以满足开启要求，简单的驱动电路使得PCB板件体积更小，同时EMI干扰更小，减少了电路中杂波干扰等偶发情况概率。
优秀的热管理能力
CMD8447B MOSFET RθJC=2.8℃/W，为PN结到塑封外壳的热阻，即在相对环境温度下，结到壳的温度等于热阻与耗散功率的乘积，可用公式表达为结到壳的温度=热阻×功率耗散。RθJC参数在MOS管有热要求的应用电路网络中是首要考虑的参数之一。
理想的电容参数
影响MOSFET开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。器件的损耗是开通过程中的损耗 (Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)，MOS开关总功率: Psw=(Eon+Eoff)× 开关频率，这是确定开关性能非常重要的参数之一。MOSFET因为其自身结构存在PN结电容，栅氧化层电容以及施加电压形成电场后的寄生电容，这些电容存在使得MOSFET在开关过程中存在时间上的延迟。这种因为自身电容的影响导致MOSFET延迟的时间是非电容时间的十倍之多，影响相当之大，当然MOSFET自身电容是由其结构决定，无法根除，只能通过工艺加以控制。
不同的MOSFET产品根据其制造的工艺的差异性，实测参数不同，表现出的特性也不尽相同。CMD8447B在低压、高功率输出以及尖峰较高感性负载中表现优异性能。当然，CMD8447B的使用环境不仅限于此，还有很多的领域等待大家共同开发和使用。想要了解CMD8447B其它参数，请注册和登录澳门太阳游戏城网站官网WWW.CMOSFET.COM自行下载。
