CMP130N85A核心优势解析
摩尔定律揭示了这样的规律，就是随着微电子技术的发展，集成电路的集成性将会逐级提高。集成电路是由集成度较高的IC和分离型功率半导体器件或功率模块构成。在IC邻域集成度最高的大型集成性的SOC，中性集成性的MCU以及小型单片机，分离型半导体功率器件如，MOSFET、IGBT、可控硅以及GaN、SiC等其他第三代分离半导体器件在提高甚至扩大功能的同时不断缩小了体积，并且实现了动静态能耗比显著降低之优点，从而提高和延长了设备设施的稳定性和续航能力，综上优点将成为集成电路发展显著特点。
从集成电路的构造来看，分离半导体器件是构成大型集成电路的基础元件或者是与IC实现Logic功能具有相关性。就拿Cmos CMP130N85A MOSFET分立器件来说，其不仅是简单的电压控制性开关，其内部运行Logic,包含了阻容特性，电感特性，PN结特性等，这些本应只在相关元器件才有的特性错综交织在一起，构成了分离器件MOSFET。基于从功能层面和物理结构层面分析，实现集成电路和集成IC不仅仅是各个分离元件简单粗浅的组合，更是集合功能的深度融合。
CMP130N85A是采用Cmos成熟的栅极多层分割槽工艺制造的一款金属氧化物功率半导体分离器件。特点是具有更低的输入输出电容，满足了更高频率的开关切换电路应用。极低的RDSON和QG的优值系数，明显提高了场效应管自身的转换效率。理想的RSP特性和参数一致性，使该物料在开关电源的DC/DC模块，电机驱动以及UPS等应用中展现出良好的稳定性和可靠性。CMP130N85AMOSFET是Cmos倡导绿色、可持续发展理念的又一创新产品。
封装形式
基础参数
核心优势
CMP130N85A是一款低压应用MOSFET,击穿电压BVDSS=85V，采用成熟的Cmos优化沟槽工艺制造。常温条件下，源漏持续电流可达120A，具有优秀的带载能力。
CMP130N85A提供了TO-220、TO-263、TO-262三种常规封装，这三种封装形式背部额外加装散热片，具有优秀的散热能力,这些封装即拓宽了不同PCBA设计环境的适用性，又保障了在大功率输出条件下的热平衡。
场效应管的优值系数FOM=QG×RDSON ，QG值反映了场效应晶体管的动态特性，RDSON是反映了静态特性，FOM综合反映了场效应晶体管对能量的转换效率。拥有优秀高效的转换效率，不仅提高了场效应自身的应用领域，而且符合绿色设计可持续发展的需要。
降本增效
场效应管以其超高频次（frequence可达兆赫兹以上）的开关速度在通信邻域，PLC工业控制，汽车ECU,无人机，医疗器械和智能机器人领域被大量应用。作为重要的开关元器件，MOSFET自身的能效比和开关响应时间是保障性能的关键。
在常温环境中，CMP130N85AD的饱和导通内阻不超过5毫欧，低阻值决定了具有较高的能效比，在UPS不间断电源，汽车ECU、无人机等高速马达负载环境中，具有很高的应用价值。
Cmos是知名的国产分离半导体器件品牌，位于深圳，拥有核心的产、学、研三者结合的综合优势，整个半导体后道工艺实现完全自主可控。多年来在集成电路邻域不断投入，工艺不断创新，已经成长为一家具有核心竞争力的半导体制造企业。集成电路相关专利申请数量更是同比逐年递增，已经是国产半导体的明星企业。
Cmos产品有：MOS场效应管，晶闸管，IGBT功率模块，78系列稳压芯片，各种三极管和二极管等。
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