高适配逆变器MOS：CMH25N50
CMH25N50是使用Cmos先进的高压MOSFET工艺制造，旨在提供优良的RDS（ON）,非常适合于高效的切换模式电源和主动功率因数校正。可用于SMPS开关电源、UPS电源，非常适用于逆变器电源，有优秀的散热能力，很好的性价比。
卓越的电气特性
CMH25N50的主要电气特性包括：
耐压与电流能力：CMH25N50的耐压（BVDSS）为500V，在25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）可达25A。
抗冲击能力强：CMH25N50采用Cmos先进高压MOSFET工艺制造，单次雪崩能量为850mJ，使其有很强的抗冲击能力，能承受在雪崩和换向模式下的高能量脉冲。
散热好：CMH25N50采用TO-247封装，具有良好的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为0.43℃/W，有很好的散热能力，能有效地将热量散发出去。
导通损耗小：在栅极电压（VGS）为10V时，CMH25N50的导通电阻（RDS(on)）最大为0.18Ω。低导通电阻降低了导通状态下的损耗，提高了电路的能效，使得在逆变器等电路使用中效率更高。
开关损耗小：较小的QG、结电容，使其具有优越的开关性能，较小的开关损耗。
适用范围广泛
CMH25N50 MOS管由于其优异的特性，适用于多种应用场景，特别是在逆变器电路中。MOS管的高EAS、低热阻、低导通电阻直接影响抗冲击能力、可靠性、能效，低QG、低结电容，有较好的开关特性及低开关损耗。CMH25N50表现出色，能够很好地满足电路需求。
CMH25N50 MOS管采用的TO-247封装，提供了良好的散热途径，其耐压和电流能力使其能够在各种高应力环境下稳定工作。通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些特性集成到CMH25N50中，使其在逆变器等电路应用中表现出色。
