Cmos优势物料推选四：CMP50N20
从电子电路应用场景和使用习惯出发，200V大功率MOS管是一种具有高性能和高可靠性的电子半导体器件，广泛应用于数据中心服务器电源、太阳能（PV）功率调节器、不间断电源系统（UPS）以及各种电力电子设备和工业控制系统中。本文将以CMP50N20MOSFET为例，详细介绍200V大功率MOS管的特点、应用场景以及其在电路设计中的注意事项。
CMP50N20是一款200V平面工艺N沟槽场效应管，这种工艺典型特点是抗冲击能力强和参数一致性表现好。
下图是一个DC/12V转AC/220V的输出为方波逆变器原理图，原理图包括DC in12V、半桥结构、升压、整流滤波、AC out220V。
根据电子电路设计的一般认识，桥型等其他半导体器件组合结构电路在设计方案中是以对称结构来布局，这是基本的设计逻辑。从实际电路出发，这些组合器件不仅在结构上表现出对称特点，在实际应用中也遵循对称循环工作。之所以这样布局，首先，这些对称布置减少了电路电磁干扰所带来的谐振危害；组合器件其本身电参数一致性是确保电路安全可靠运行的基础。如上图所示，显然Q1与Q2符合设计要求且满足参数一致性原则。
封装形式
CMP50N20MOSFET提供了TO-220和TO-263两种封装形式，具体内部拓扑结构如下图所示。
卓越的电性参数
耐压和耐流能力
CMP50N20是一款支持续漏极电流（ID）高达50A，脉冲电流（IDM）高达200A的200V场效应半导体器件。在实际的电子电路应用中具有较高的功率输送能力。
优秀的品质因数
该款器件提供不超过55MΩ的超低漏源极导通电阻RDS(ON)，可有效减少电源应用中的损耗。其中关键性能指标／品质因数（FOM）= RDS(ON) x Qgd的降低使得电源效率得到提高。
抗冲击性强
CMP50N20具有1350mJ的单次雪崩抗冲击能量值。
优秀的开关速度
得益于更低的电容设计，CMP50N20增强型器件成为现代高速电源应用的理想之选。
卓越的散热能力
CMP50N20具有优秀的散热能力，RθJC只有0.4℃/W。
CMP50N20是一款平面工艺场效应管，具有更高的抗冲击性能和更好的电参数一致性。高电压大电流具有高功率输出能力，优秀的品质因数能够有效减少能量损耗，轻松实现高效率电能传递。另外，该料还具有优秀的跨导能力，在功放领域应用具有非常高的性价比。综合来讲，CMP50N20是一款综合性能优越的场效应管。
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