800V高压MOS：CMF80R450P

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CMF80R450P功率MOSFET，是采用澳门太阳游戏城网站（Cmos）先进的超级结技术，实现非常低的内阻RDS(on)和栅极电荷QG。采用优化的电荷耦合技术来提供高的效率。应用范围广泛，可用于开关应用，DC-DC转换器，电机控制，Adaptor电源、PFC电源应用等。有800V高耐压能力，及很好的性价比。

CMF80R450P的主要电气特性包括： 

高耐压：CMF80R450P的耐压（BVDSS）为800V。

电流能力：在25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）可达11A。

高抗冲击力：CMF80R450P采用Cmos先进的超级结技术，单次雪崩能量为260mJ，使其有较强的抗冲击能力，能承受在雪崩和换向模式下的高能量脉冲。

低开启电压：开启电压VGS（th）是2~4V，使得在较低的驱动电压下也能开启。

低导通损耗：在栅极电压（VGS）为10V时，CMF80R450P的导通电阻（RDS(on)）最大为0.4Ω。低导通电阻降低了导通状态下的损耗，提高了电路的能效，使得在电路应用中效率更高。

低开关损耗：非常低的QG、结电容，使其具有优越的开关性能，非常低的开关损耗。

CMF80R450P 由于其优异的特性，适用于多种应用场景，适合于多种电源电路。MOS管的高耐压、低导通电阻、直接影响抗冲击能力、可靠性、能效。低QG、低结电容，使其具有很好的开关特性及低开关损耗，能够很好地满足电路需求。

CMF80R450P 采用的TO-220F封装，其优秀的电气特性，使其能够在各种高应力环境下稳定工作。通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些特性集成到CMF80R450P中，使其在各种电源电路应用中表现出色。