高耐压MOS：CMF90R450Q

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CMF90R450Q功率MOSFET，是采用澳门太阳游戏城网站（CMOS）先进的超级结技术，实现非常低的电阻和栅极电荷。采用优化的电荷耦合技术来提供高的效率。应用范围广泛，可用于Charger电源、Adaptor电源、Power supply、Electrodeless lamp等，有900V高耐压能力，很好的性价比。

CMF90R450Q的主要电气特性包括： 

高耐压能力：CMF90R450Q的耐压（BVDSS）为900V。

电流能力：在25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）可达11A。

ESD保护能力：在栅源极集成ESD保护二极管，有优秀的ESD能力。

低开启能力：开启电压VGS（th）是2.5~4.5V，使得在较低的驱动电压下也能开启。

低导通损耗能力：在栅极电压（VGS）为10V时，CMF90R450Q的导通电阻（RDS(on)）最大为0.45Ω。低导通电阻降低了导通状态下的损耗，提高了电路的能效，使得在电路应用中效率更高。

低开关损耗能力：非常低的QG、结电容，使其具有优越的开关性能，非常低的开关损耗。

CMF90R450Q MOS管由于其优异的特性，适用于多种应用场景，适合于多种电源电路。MOS管的高耐压、低导通电阻、ESD保护、低QG、低结电容，具有很好的开关特性及低开关损耗、低导通损耗，使得有很好的效率，能够很好地满足电路需求。

CMF90R450Q MOS管采用的TO-220F封装，其耐压和电流能力使其能够在各种高应力环境下稳定工作。通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些特性集成到CMF90R450Q中，使其在各种电源电路应用中表现出色。