Cmos优势物料推选七：CMB044N10B
功率半导体器件是电力电子设备中电能转换与电路控制的核心元器件，随着近年来新能源汽车、光伏、轨道交通、智能电网等产业的发展，以及半导体行业的回暖，市场对功率器件的需求迅速升温。
性能一直是厂家和用户追求的终极变量。然而，传统材料和老旧的制造工艺在电能转换效率、重量和体积方面越来越显现出不足和局限性，难以适应未来电力电子系统对“高效、绿色、低碳”功率半导体器件的要求。在此，新材料的发明和新工艺的发现将迫在眉睫。在新材料方面，第三代半导体SiC，GaN材料在禁带宽度、导热性能、临界击穿场强、电子饱和漂移速度上的优势明显，符合未来电力电子系统小型轻量化、高效一体化、安全可靠化的发展趋势。在制造工艺方面，栅极分割改进型沟槽，深沟槽和多层外延EPI工艺的提高，在降低能耗，提升效率方面得到优化，迅速成为主流蚀刻技术。随着全球“碳达峰、碳中和”目标的逐步实现，新材料和新工艺将带来更为显著的经济效益。
相比于新材料的发现，制造工艺的发展和应用则周期更短，更具有经济性。下图是MOSFET工艺的发展趋势，显然，工艺的发展不断地提升芯片的性能。
CMB044N10B MOS管是一款采用栅极分割改进型沟槽工艺设计的大功率FET，属于低电压大电流MOS，具有卓越的性能和广阔的应用市场。
封装形式
CMB044N10B MOSFET提供了TO-220，TO-263和TO-262三种常规的散热性优越的封装形式，其外观和内部拓扑结构如下图所示：
电性参数
卓越的过载能力
CMB044N10B是一款低压大电流的场效应管，其导通工作电压为100V，漏源持续电流ID高达120A。具有卓越的极限承载能力，能够满足大部分应用需求。
优秀的抗冲击性
EAS是衡量MOS管性能的重要参数之一，该值可以评估MOS关在实际应用中的可靠性和稳定性。EAS指标越大则表示MOS管耐击穿能力越强。预示着在实际应用中即使工作电压超过MOS管的击穿电压BVDSS，也不容易发生损坏失效。CMB044N10B EAS=1458Mj，这个指标能够轻松驾驭大功率感性负载引起的冲击。
低功耗
饱和导通内阻RDSON是决定MOS管在导通时转化效率的关键指标，CMB044N10B RDSONTyp. 只有3.5mΩ，极低的导通内阻，即便是承载大电流也不会产生过多额外的热量。
Cmos半导体产品
Cmos产品有：MOS场效应管，晶闸管，IGBT，三端稳压芯片，三极管，二极管等，应用邻域广泛，性能可靠稳定。
Cmos产品应用领域
消费电子类：家电，电动车，无人机，户外显示，开关电源，笔记本电脑，电动工具；
工业电子类：智能仪表，无线通讯，光伏，5G通讯，服务器，物联网；
汽车电子类：新能源汽车，充电桩，轨道交通。
Cmos半导体是优质的国产半导体厂家，拥有丰富的MOSFET和其他半导体产品，具备出色性能以及价格优势。产品生产工艺齐全先进，产品系列应用广泛，产品分布低功率至高功率应用。更多型号资料请联系在线客服或登录Cmos官网，可索取免费样品以及报价、技术支持服务。
