Cmos优势物料推选十:CMD031N03L

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Cmos优势物料推选十:CMD031N03L

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CMD031N03L是采用Cmos自己优化的栅极被分割改进型沟槽工艺制造的一款金属氧化物半导体场效应晶体管。特点是,具有更低的输入输出电容,满足了更高频率的开关切换电路应用。极低的RDSON和QG,得到了卓越的优值系数,明显提高了场效应管自生的效率转换能力。理想的RSP特性和参数一致性,使得该物料在,同步整流,BMS,电机驱动以及UPS等应用中展现出卓越的稳定性。CMD031N03L是Cmos长期秉持绿色可持续发展又一产品。

 

封装形式


基础参数



核心优势

CMD031N03L是一款低压应用MOSFET,击穿电压BVDSS=30V,采用Cmos自己研发的沟槽优化工艺制造。常温条件下,源漏持续电流最高可达120A,具有卓越的带载能力。CMD031N03L提供了TO-252、TO-251两种常规封装,这两种封装背部额外加装较大散热片,具有优秀的散热能力,保障了在高输出能力的条件下的热管理平衡。场效应管的优值系数FOM=QG×RDSON ,QG值反映了场效应晶体管的开关动态特性,RDSON 是MOS管导通后的静态特性,FOM综合反映了场效应晶体管对能量的转换效率。拥有优秀高效的转换效率,不仅提高了场效应自身的应用领域,而且符合绿色设计可持续发展的需要。


降本增效

场效应管以其超高频次(frequence可达兆赫兹以上)的开关速度在射频信号,通信邻域,工业控制,无人机电机驱动和智能Ai泛领域得到应用。由此可见,其自身能量损耗和开关响应速度是保证其性能关键参数。CMD031N03L在常温环境下,饱和导通内阻只有3毫欧,极低的能耗在MBS,UPS,消费类电机驱动性产品中具有很高的应用需求。栅极阈值电压不超过2V,低开启电压使驱动电路的设计更简单,COSS输入电容为2500PF,场效应管的开启就是给COSS充电的过程,该电容小,充电时间就短,或者允许充电电流可以小,一般单片机Drout 引脚的输出电流只有毫安级别,如此则可以用单片机直驱场效应管变得更具有现实意义。

 

Product Data Sheet



Cmos是优质的国产半导体,有二十五年的晶体管开发经验。拥有核心的产品研发能力,相关专利申请达四十多项;具有完备的半导体后道工艺生产设备,有着丰富产品型号。开发产品面向邻域广泛,实用性能可靠稳定,有较强的品牌影响力和市场份额。


Cmos晶体管产品有:MOS场效应管,晶闸管,IGBT功率模块,78系列稳压芯片,各种三极管和二极管等。


Cmos产品应用领域如下表所示:



更多型号资料请联系在线客服或登录Cmos官网www.cmosfet.com,可索取样品和报价以及提供相关技术支持服务。


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