Cmos优势物料推选八：CMD130N85A
CMD130N85A是Cmos通过不断优化栅极氧化层并多极分割栅极沟槽得到的后优化沟槽工艺制造而成，典型的特点是，具有更优秀的开关响应时效性，极低的RDSON,低FOM和更优秀的单元一致性。无论是MOS管自身的转换效率还是能耗都得到优化，成为Cmos绿色发展的又一重要产品。
封装形式
核心优势
CMD130N85A是一款击穿电压BVDSS=85V，采用栅极被分割改进型沟槽工艺制造的场效应晶体管，在环境温度为25℃条件下，流过MOS管的漏源电流可达到120A，具有卓越的功率输送能力。提供TO-252、TO-251两种封装，封装如图所示。这两种封装兼具优秀的散热设计,保障了其在大电流高功率饱和导通工作条件下的热管理能力。卓越的功率传递能力和优秀的散热设计使其在无刷电机，电源DC输出模块，太阳能蓄电池充放电保护控制器中被广泛应用，性能可靠稳定。
低优值系数：降低能耗，提升传递效率
优值系数FOM=QG×RDSON 可以定性表达MOS管的转化效率。由表达式右端的QG和RDSON两项参数可得，FOM是可以反映MOS管自身功率损耗与开关效率的。作为高频次开关，自身电能损耗和开关响应速度是其性能的关键特征。尤其是电池供电电路，低功耗的元器件则更有实际意义。CMD130N85A饱和导通内阻RDSON仅为4.3MΩ,低阻值，无论是静态待机状态还是动态工作过程均有效降低了电路中电能损耗和提高了电能的转换效率。
Cmos半导体是优质的国产半导体企业，生产工艺齐全、设备先进，拥有丰富的MOSFET和其他半导体产品。产品分布广泛，具有出色的性能和超高的经济性。
Cmos产品有：MOS场效应管，晶闸管，IGBT，三端稳压芯片，三极管，二极管等。
Cmos产品应用
更多型号资料请联系在线客服或登录Cmos官网，可索取样品以及报价、技术支持服务。
