CMD8447B：优秀控制器MOS

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CMD8447B采用Cmos先进的沟槽技术和设计，提供优秀的RDS（ON）与低门电荷，具有低导通损耗和低开关损耗，它可以高效用于多种应用电路中，包括不限于DC-DC直流变换器、逆变器、电机驱动、LED控制器等。凭借其卓越的电气特性和高可靠性，是优秀的控制器应用元件。

CMD8447B的主要电气特性包括： 

耐压能力：CMD8447B的耐压（BVDSS）为40V。

电流能力：在Tc=25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）可达50A。

可靠性好：CMD8447B采用Cmos先进的沟槽技术和设计，单次雪崩能量为100mJ，使其有较强的抗冲击能力，提升了其耐用性和可靠性。

低热阻：CMD8447B采用TO-252封装，具有优秀的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为2.8℃/W。有很好的散热能力，工作时能够有效地将热量散发出去，防止过热，提高了系统的稳定性和可靠性。

低导通电阻：在栅极电压（VGS）为10V时，CMD8447B的导通电阻（RDS(on)）不超过15.5mΩ。低导通电阻能降低导通状态下的损耗，能提高整体电路的能效。

低Qg：较低的Qg、和比较小的Ciss，使管子更容易驱动，开关损耗低，能提高电路效率。

CMD8447B由于其优异的特性，适用于多种应用场景，特别是各类控制器电路中。MOS管的高EAS、低热阻、低导通电阻直接决定管子抗冲击能力强、可靠性高、能效高；低QG、低结电容，使管子有较好的开关特性及低开关损耗。CMD8447B表现出色，能够很好地满足电路需求。

通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些优秀特性集成到CMD8447B中，使其在各类控制器等电路应用中表现优秀。