同步整流技术
产生背景
随着电子技术的发展，电子电路的工作电压越来越低，电流越来越大。低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗，但也给电源设计提出了新的难题。
开关电源的损耗主要有三部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降比较高，导致输出端整流管的损耗显著增加。即使使用快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD），其导通压降仍可达到1.0～1.2V，而采用低压降的肖特基二极管（SBD）也会产生约0.6V的压降。这些高压降元器件导致整流损耗增加，从而降低了电源的效率。
举个例子来说明问题，假设使用3.3V甚至更低的供电电压，并且回路中的电流达到20A。这种情况下，超快恢复二极管的整流损耗P=UI=24W已经接近或超过电源输出功率的36%。即使采用肖特基二极管，整流管上的损耗也会占据18%电源输出功率。因此，传统的二极管整流电路无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率和小体积的需求，成为限制DC-DC变换器提高效率的瓶颈。
同步整流的特点
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，通常采用SGT工艺的功率MOS管，这种工艺，具有极低的RDSON和更优秀的开关频率，用以取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC-DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压效应。由图MOS同步整流与二极管整流输出对比
可以看出，采用MOS管的同步整流输出表现为线性特点，相比于二极管整流表现更为平稳。
同步整流技术的工作原理
从同步整流原理图中可以看出，整流管S3和续流管D2的驱动电压从变压器的副边绕组取出，加在MOS管的栅G和漏D之间，如果在独立的电路中MOS管这样应用不能完全开通，损耗很大，但用在同步整流时是可行的简化方案。由于S3和S4两个管子开关状态互锁，一个管子开，另一个管子关，所以我们只简要分析电感电流连续时的开通情况。我们知道MOS管具有体内寄生的反并联二极管，这样电感电流连续应用时，MOS管在真正开通之前并联的二极管已经开通，把源S和漏D相对栅的电平保持一致，加在GD之间的电压等同于加在GS之间的电压，这样变压器副边绕组同名端为正时，整流管S3的栅漏GD电压为正，整流管零压开通，当变压器副边绕组为负时，续流管D2开通，滤波电感续流。栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，这就是同步整流的运行逻辑。
CMD065N04
CMD065N04 Cmos为电源DC-DC模块开发的一款物料，得益于Cmos对于半导体先进制造工艺的研究和创新，这款物料具有多项优秀的参数，整体性能卓越。
核心优势
CMD065N04是一款耐压值VDS=40V，采用栅极分割改进型沟槽工艺制造的场效应晶体管。在常温环境条件下，CMD065N04漏源过电流达到80A，具有优秀的功率输送能力。优秀的功率传递能力和散热设计使其在无刷电机，电源DC-DC变换器模块，太阳能蓄电池充放电保护控制器中被广泛应用，性能可靠稳定。
低优值系数：降低能耗，提升效率
优值系数FOM=QG×RDSON 可以定性表达MOS管的转化效率。由表达式右端的QG和RDSON两项参数可得，FOM是可以反映MOS管自身导通损耗与开关损耗的。CISS=1000PF或QG=10NC的效率开关特点，使其用适合用于高频同步整流的开关。CMD065N04饱和导通内阻RDSON仅为5MΩ,低导通内阻值，P=I2×R,使其在DC-DC同步整流过程中功率损耗格外理想。
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