Cmos优势物料推选九：CMD170P03A
CMD170P03A是Cmos通过控制载流子沟道物理尺寸（ChannelWidth/Channel Length），并采用沟槽工艺制造而成的一款金属氧化物半导体场效应晶体管。典型的特点是，具有更小的寄生电容，更优秀的开关响应性，更低的导通内阻RDSON等特性。无论是MOS管自身的转换效率还是能耗都得到优化，成为Cmos绿色发展的又一明星产品。
封装形式
基础参数
核心优势
CMD170P03A是一款击穿电压BVDSS=-30V，采用沟槽工艺制造的场效应晶体管，在环境温度为25℃条件下，流过MOS管的源漏电流高达-120A，具有卓越的功率输送能力。提供TO-252、TO-251两种封装，封装如图所示。这两种封装背部加装较大散热片，具有优秀的散热能力,保证了晶体管在大电流高功率饱和导通工作条件下的热管理能力。卓越的功率传递能力和优秀的散热设计使其在电机控制，电源DC-DC模块及负载开关控制等应用电路中被广泛采用，表现可靠稳定。
低优值系数：降低能耗，提升传递效率
优值系数FOM=QG×RDSON，QG值反映了场效应晶体管的开关动态特性，RDSON是MOS管导通后的静态特性，FOM反映场效应晶体管的动态特性和静态能耗整体的转换效率。作为高频次开关，场效应晶体管自身电能损耗和开关响应速度是体现其性能优良的关键指标参数。尤其是无源供电设备，低功耗和高转换效率的元器件在应用中更具有实际意义，能有效延长设备运行时间。
场效应晶体管在实际电路中与负载形成串联应用的拓扑结构，在饱和导通之后，可以等效为一个串联电阻，其等效电路图如下图所示，
MOS管自身的带载能力与其内阻和电流成正相关。由串并联电路相关定理得到漏极和源极电流越大，内阻越小场效应晶体管带载能力越强。分析上图场效应晶体管等效电路图，MOS管在导通后，其回路是 VCC→RDSON→RL→GND。根据欧姆定律，串联电路中的电阻分压大小与电阻阻值大小成正比，电阻值越大电阻两端压降越大。电阻值越小，电阻两端压降越小，因为电阻与负载等效为串联结构，所以负载上分得的电压就越高，进而可以带动更大功率的负载。 从场效应晶体管元器件角度考虑，其内阻越大，电路中消耗的功率越多，管子越容易发热，并且寿命变短，甚至出现炸管现象；内阻越小，负载产生的分压越多，获得的电能就越大，带载能力则越强。所以，一般选用内阻较低的MOS管。 如下表为CMD170P03A Product DataSheet
由DataSheet可得，CMD170P03A饱和导通内阻RDSON不超过4.5MΩ，这种低阻值，无论是静态待机状态还是动态工作过程均有效降低了电路中电能损耗且在实际应用中提高了电能的转换效率，成为BMS，电机马达，灯控行业的优秀物料之选。文末还需要提醒一点，CMD170P03A是P沟道场效应晶体管，P沟道因为其特点往往在电路中具有很强的驱动能力，不需要专门设计驱动电路，实现了应用方案的轻量化设计。
Cmos半导体是优质的国产半导体企业，拥有完备的半导体生产工艺，先进的封测设备，有着丰富的半导体产品和不同型号。产品分布广泛，性能可靠稳定，有着较强的品牌影响力和市场份额。
Cmos产品有：MOS场效应晶体管管，晶闸管，IGBT，三端稳压芯片，三极管，二极管等。
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