CMD65R380Q：优秀开关电源MOS

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CMD65R380Q功率MOSFET，使用Cmos先进的超结技术，提供优秀的RDS(ON)和极低门电荷。采用优化的电荷耦合技术，提供高效率。为设计者提供低EMI和低开关损耗的优势，非常适合UPS电源、PFC电源，及各类开关切换模式电源。

CMD65R380Q的主要电气特性包括： 

耐压能力：CMD65R380Q的耐压（BVDSS）为650V。

电流能力：在Tc=25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）为11A。

雪崩能量：CMD65R380Q采用Cmos先进的超结技术，100%雪崩能量测试，单次雪崩能量EAS为202mJ。

低EMI：CMD65R380Q采用Cmos先进的超结技术，应用时具有低EMI、易通过EMC测试的特点。

低热阻：CMD65R380Q采用TO-252封装，具有良好的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为1.5℃/W，有很好的散热能力。

低导通电阻：在栅极电压（VGS）为10V时，CMD65R380Q的导通电阻（RDS(on)）最大为0.38Ω。低导通电阻能降低导通状态下的损耗，提高电路的能效，使得在开关电源电路应用中效率更高。

低开关损耗：低QG、较小的CISS，使其具有优越的开关性能，较小的开关损耗。

CMD65R380Q 由于其优异的特性，适用于多种开关切换电源，MOS管的低热阻、低导通电阻直接决定管子工作时的低温升、高可靠性、高能效；低QG、低结电容，使管子有较好的开关特性及低开关损耗。CMD65R380Q表现出色，能够很好地满足电路需求。

通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些优秀特性集成到CMD65R380Q中，使其成为各种开关切换类电源应用中表现优秀的MOS。