高鲁棒性的理想选择CMP107N20
随着集成电路和互联网的快速发展，低功耗、高性能已经逐渐成为3C消费类电子以及3C小家电主要追求的能效目标。CMP107N20是采用Cmos自己优化的成熟制造工艺生产的一款场效应晶体管。特点是具有卓越FOM优值系数，极低的饱和导通内阻RDSon，超高的开关频率使得CMP107N20在电机控制，电池管理，UPS不间断电源供应，逆变转换器等领域具有更大的市场价值。
封装形式
基本信息
CMP107N20是采用Cmos栅极多级分割优化沟槽工艺研发的N沟道金属氧化物半导体场效应管，设计理念追求高能效、绿色和可持续发展。
绿色设计理念
CMP107N20是一款N沟道场效应晶体管，击穿电压BVDSS=200V，采用Cmos自己研发的优化沟槽工艺制造。常温条件下，源漏持续电流可达105A，具有卓越的能效比。CMP107N20提供了TO-220、TO-263、TO-262、TO-220F四种常规封装，具有卓越的散热能力,保障了在高功率输出下的热管理平衡能力。CMP107N20具有卓越的优值系数FOM=QG×RDSON ，FOM综合反映了场效应晶体管的转换效率。高效的转换效率，不仅提高了CMP107N20自身的应用领域，而且符合绿色可持续发展的需要,还为其拓展了广泛的应用邻域。
降本增效
Product Data Sheet
场效应管以其超高频次（frequence可达兆赫兹以上）的开关速度和极低的能耗，通信，工业控制，3C产品，电动车和智能Ai泛领域得到大量应用。能量损耗和开关响应速度是保证其能效比的关键要素。CMP107N20在常温环境下，饱和导通内阻10毫欧，极低的饱和导通阻值，使其转换效率明显提高。在多串MBS，UPS，无人机中具有很高的应用价值。
场效应半导体是国产优质半导体企业，具有丰富的晶体管开发经验，拥有核心的产品研发能力,相关专利申请达四十余项；具有完备的半导体后道工艺生产设备，目前已经拥有包括二极管，三极管，IGBT 晶闸管在内的产品超过1500余个型号。开发产品面向邻域广泛，使用性能安全稳定，有较强的品牌影响力和市场份额。
Cmos晶体管产品有：MOS场效应管，晶闸管，IGBT功率模块，78系列稳压芯片，各种三极管和二极管等。
Cmos产品应用领域如下表所示：
更多型号资料请联系在线客服或登录Cmos官网www.cmosfet.com，可索取样品和报价以及提供相关技术支持服务，欢迎咨询！
