行绿色发展，创工匠品质
一、国家政策
二O二一年十月二十四日，为深入贯彻落实党中央、国务院关于碳达峰、碳中和的重大战略决策，扎实推进碳达峰行动，国务院制定并印发我国《2030年前碳达峰行动方案》。该方案是以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导，深入贯彻习近平生态文明思想，立足新发展阶段，完整、准确、全面贯彻新发展理念，构建新发展格局，坚持系统观念，处理好发展和减排、整体和局部、短期和中长期的关系，统筹稳增长和调结构，把碳达峰、碳中和纳入经济社会发展全局中来，有力有序有效做好碳达峰工作，明确了各地区、各领域、各行业目标任务，加快实现生产生活方式绿色变革，推动经济社会发展建立在资源高效利用和绿色低碳发展的基础之上，确保如期实现2030年前碳达峰目标。
“十四五”期间，我国的主要目标是产业结构和能源结构调整优化取得明显进展，重点行业能源利用效率大幅提升，煤炭消费增长得到严格控制，新型电力系统加快构建，绿色低碳技术研发和推广应用取得新进展，绿色生产生活方式得到普遍推行，有利于绿色低碳循环发展的政策体系进一步完善。
能源是经济社会发展的重要物质基础，也是碳排放的最主要来源。要坚持安全降碳，在保障能源安全的前提下，大力实施可再生能源替代，加快构建清洁低碳安全高效的能源体系。加快建设新型电力系统。构建新能源占比逐渐提高的新型电力系统，推动清洁电力资源大范围优化配置。积极发展“新能源+储能”、源网荷储一体化和多能互补，支持分布式新能源合理配置储能系统。加快新型储能示范推广应用。深化电力体制改革，加快构建全国统一电力市场体系。到2025年，新型储能装机容量达到3000万千瓦以上。到2030年，抽水蓄能电站装机容量达到1.2亿千瓦左右，省级电网基本具备5%以上的尖峰负荷响应能力。
二、企业使命
绿色发展、可持续发展是实现碳达峰的重要理念和关键手段。深耕于半导体行业的制造+应用型公司，澳门太阳游戏城网站诞生于国产半导体兴起的千禧之年，我们致力于做国产优质半导体器件，锚定成为中国半导体领军品牌。我们更是将创新、绿色融合进公司发展的基因里，历经二十五载，历久弥新，成为企业文化、企业发展最重要的组成部分。
场效应半导体（下称Cmos）顺应国家大是，深刻分析国家战略，迅速响应国家号召，坚持创新、共赢的核心价值观，守正创新，坚持打造绿色半导体产品，规划并努力朝着实现绿色产业链闭环发展。
Cmos作为国产半导体知名企业，立足当下，综合国内国际大环境，深入剖析行业现状，勇于把握发展锚头，提前入局并更新产品线，确立以DFN与TOLL这类封装分离器和Dr+MOSFET的小型集成性器件是未来市场刚需。 在当下这个瞬息万变的时代，朝夕之间，同一个产品即可完成更新迭代，唯有如此，才能定义市场，而不是被市场所定义。我们秉持诚信、务实的态度，深度开发应用市场，坚持品质至上，坚持为客户寻求最大价值，屡战屡胜，并在包括PLC工业控制，医疗器械，汽车ECU，无人飞机，智能家电领域获得广泛认可。
Cmos主要业务涉及整个半导体产品后道工艺链，面对这个重投资垄断性高的链条模块，我们一开始就确立创新是企业发展之灵魂。所以，时至今日，Cmos在分离半导体器件制造的包括平面工艺，沟槽工艺，SGT（Shielded Gate Transistor）工艺，SJ(Super Juncation)工艺方面具有多项专利，从向优秀的企业学习成长为自主定义市场，Cmos人不忘初心，砥砺前行实现这一步的跨越。
三、产品举例
CMSA010N04是Cmos自己研发的栅极多层分割槽工艺制造的一款分离半导体器件。先进的封装和制造工艺为器件提供了一个极低的导通内阻RDSON，在实际电路应用中明显提高电能转换效率。新一代增强型的体二极管工艺专为快速恢复应用环境而设计。理想的RSP特性和参数一致性，使该分离器件在组合结构应用电路中表现出出色的鲁棒性。
封装形式
基础参数
核心优势
CMSA010N04是一款低压MOSFET,击穿电压BVDSS=40V，采用Cmos成熟的优化沟槽工艺制造。常温条件下，源漏持续电流可达200A，具有很强的带载能力。
CMSA010N04采用全新的通用的DFN5X6封装形式，具有集成性高，且热管理能力出色的特点。这种轻薄封装为PCBA实现高集成度提供了材料基础的同时使得拥有功能多样性且稳定性高的设备实现量产。
在常温环境中，CMSA010N04的饱和导通内阻RDSON不超过1毫欧，低阻值高能效比，在DC/DC BUCK-BOOST转换电路具有很高的适配性。控制键合工艺使得CMSA010N04具有较高的输入寄身电容，使其在超高频率的同步整流模块中对高尖峰表现出理想的抑制作用。
试验电路：电路为三相同步电机控制电路，负载为电动机。在非额定状态如启动状态，失速状态甚至在增加负载过程中会产生较高的尖峰电动势，如果电路没有做周全的尖峰抑制考虑（该电路没有做功率开关管尖峰抑制电路），将会在开关节点产生高频振荡。过高的振荡会增加损耗、加重EMI干扰，POL负电流保护，甚至击穿芯片影响系统的稳定工作。
试验结论：试验中当把开关管换做具有不同CISS参数的MOSFET，随着带载能力增大具有较大CISS参数的开关管具有更出色的带载能力。
试验分析：实验中负载功率增大，根据功率相关定理P=UI,在输入电压不变的情况下，增大电路电流I可以实现负载功率P的增大，增大电路电流意味着就要提高功率开关管的开关速度或者提高PWM信号的WIDTHDUTY，意味着将会增加开关节点的振荡频率且加重EMI干扰。通过试验发现，CISS这项参数在改应用电路中在在重载条件下，对抑制振荡频率和降低EMI干扰有显著的影响。
Cmos深耕于分离半导体器件的开发，目前分离半导体产品有MOSFET，晶闸管，IGBT功率模块，78系列稳压芯片，三极管和二极管等，以及我们具有强大的外贸储备和外贸资源。
如需了解更多更详细型号资料请联系在线客服或登录Cmos官网www.cmosfet.com可索取样品和报价以及提供相关技术支持服务。
