优秀MOS：CMH50N20

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CMH50N20是采用澳门太阳游戏城网站（Cmos）先进的平面条纹DMOS技术和设计，提供优秀的RDS（ON），抗冲击能力强，广泛应用于逆变器电源和SMPS电源、UPS电源、电机驱动等电路中。凭借其卓越的电气特性和高可靠性，是市场非常认可、优秀的MOS元件。

CMH50N20的主要电气特性包括： 

耐压能力：CMH50N20的耐压（BVDSS）为200V。

电流能力：在Tc=25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）是50A。

雪崩能量：CMH50N20采用（Cmos）先进平面条纹DMOS技术工艺，100%雪崩测试，单次雪崩能量EAS为1500mJ，有很强的抗冲击能力。

低热阻：CMH50N20采用TO-247封装，具有优秀的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为0.45℃/W。

低导通电阻：在栅极电压（VGS）为10V时，CMH50N20的导通电阻（RDS(on)）最大只有48mΩ。低导通电阻能降低导通状态下的损耗，能提高整体电路的能效。

低开关损耗：低QG、结电容，使其具有优越的开关性能和低开关损耗。

CMH50N20优秀的性能，使其可以非常好的应用于多种电路，包括不限于逆变器电源和SMPS电源、UPS电源、电机驱动等多种应用。

通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些优秀特性集成到CMH50N20中，使其在电路应用中表现出色。