文档帮助中心
逆变器优秀MOS：CMP1608A
CMP1608A是采用澳门太阳游戏城网站（Cmos）先进的沟槽技术工艺生产的，该工艺已被定制为最大限度减小导通电阻RDS(ON)，同时保持优越的开关性能。非常适合用于电池管理、不间断电源、开关控制、切换类电源、逆变器电源等多种应用。
卓越的电气特性
CMP1608A的主要电气特性包括：
耐压能力：CMP1608A的耐压（BVDSS）为80V。
电流能力：在Tc=25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）是180A。
雪崩能量：CMP1608A采用（Cmos）先进的沟槽技术工艺，100%雪崩测试，单次雪崩能量EAS为2415mJ，有很强的抗冲击能力。
低热阻：CMP1608A采用TO-220封装，具有优秀的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为0.42℃/W。
低导通电阻：在栅极电压（VGS）为10V时，CMP1608A的导通电阻（RDS(on)）最大只有3.1mΩ。低导通电阻能降低导通状态下的损耗，能提高整体电路的能效。
低开关损耗：低QG、结电容，使其具有优越的开关性能，和低开关损耗。
适用范围广泛
CMP1608A优秀的性能，使其可以非常好的应用于多种电路，包括不限于电池管理、不间断电源、开关控制、切换类电源、逆变器电源等多种应用。
通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些优秀特性集成到CMP1608A中，使其在电路应用中表现出色。
