9月23—25日，记者在广州举办的“2021中国电子材料产业技术发展大会”上获悉，随着5G基站、手机快充以及新能源电动汽车等新兴领域对半导体器件的功率、效率、散热以及小型化提出更高要求，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体正得到广泛应用，并加速进入黄金发展期。

当前，新一轮科技革命深入演进，数字时代扑面而来，全球主要国家在数字经济领域展开激烈角逐。关键数字技术创新，中国已经取得了哪些优势？在当前国际环境下，面临哪些难题要“啃”？

随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化铝镓等，都被视为新一代半导体材料的重要方向。从带隙宽度来看，锑化物属于窄带半导体，而氧化镓、金刚石、氮化铝属于超宽禁带半导体。新一代半导体材料，将一路向宽，还是一路向窄？

新浪科技讯据报道，韩国三星电子是全世界最大的存储芯片制造商，日前，三星电子研发团队和美国哈佛大学共同发表了一篇研究论文，他们提出了一种新方法，准备在一个存储芯片上“反向工程”（复制）人类的大脑。

从智能手机、电视到风力涡轮机，硅芯片的需求正在蓬勃发展，但它也付出了巨大的代价：巨大的碳足迹。该行业呈现出一个悖论。实现全球气候目标在某种程度上要依靠半导体。它们是电动汽车、太阳能电池阵列和风力涡轮机的组成部分。