中国半导体产业探索之初，我们只是一穷二白，但是，经过了几代人的不懈努力，我们已经建立起了初具规模的技术体系和逐步增强的产业实力。
近日，麻省理工研究团队宣布，当前设计一款实用性非常强的硅基LED，它将采用正偏方法，相较于其他的硅基LED亮度提升10倍。本次研制的新款硅基LED采用了正偏方法，同时将LED中PN结的组合方式进行改变，成功将硅材料的光电能量转换效率提高，进一步提升硅基LED的亮度，并降低了LED的制造成本。
9月23—25日，记者在广州举办的“2021中国电子材料产业技术发展大会”上获悉，随着5G基站、手机快充以及新能源电动汽车等新兴领域对半导体器件的功率、效率、散热以及小型化提出更高要求，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体正得到广泛应用，并加速进入黄金发展期。
当前，新一轮科技革命深入演进，数字时代扑面而来，全球主要国家在数字经济领域展开激烈角逐。关键数字技术创新，中国已经取得了哪些优势？在当前国际环境下，面临哪些难题要“啃”？
随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化铝镓等，都被视为新一代半导体材料的重要方向。从带隙宽度来看，锑化物属于窄带半导体，而氧化镓、金刚石、氮化铝属于超宽禁带半导体。新一代半导体材料，将一路向宽，还是一路向窄？
