CMD170P03A是Cmos通过控制载流子沟道物理尺寸（ChannelWidth/Channel Length），并采用沟槽工艺制造而成的一款金属氧化物半导体场效应晶体管。
CMD065N04 Cmos为电源DC-DC模块开发的一款物料，得益于Cmos对于半导体先进制造工艺的研究和创新，这款物料具有多项优秀的参数，整体性能卓越。
CMD130N85A是Cmos通过不断优化栅极氧化层并多极分割栅极沟槽得到的后优化沟槽工艺制造而成，典型的特点是，具有更优秀的开关响应时效性，极低的RDSON,低FOM和更优秀的单元一致性。
在锂电池保护中电路中，低功耗尤为重要。CMD1402低的饱和导通内阻（RDSON仅为4.1mΩ）实现了极低的功耗，使其在电路应用中，无论是静态待机状态还是动态工作过程均有效降低电池电能损耗。
晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又称可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR，简称可控硅）。
