CMH65R115P功率MOSFET，使用Cmos先进的超结技术，实现非常低的电阻和门电荷。采用优化的电荷耦合技术，可以提供高效率。具有超结MOS的各种优点，可以很容易快速地应用到新的和现有的电源设计中。
CMF65R105使用Cmos先进的超级结技术，可以实现非常低的电阻和门电荷。采用优化的电荷耦合技术可以提供高的效率。
CMD65R290功率MOSFET，使用Cmos先进的超结技术，实现非常低的电阻和门电荷。采用优化的电荷耦合技术，可以提供高效率。
MH50N50采用先进的高压平面MOSFET工艺制造，能在AC-DC应用中提供高水平的性能和鲁棒性，抗冲击能力强，易过EMC等测试。可以快速应用到新的和现有的离线电源设计中，特别适用于舞台灯光电源等电路。
在现代电力电子设备中，MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）作为集成电路核心控制器件之一，由于其低功耗、优越的响应速度，广泛应用于应急电源转换和电机驱动等电路中。
